本岗位主要负责非易失磁存储芯片（MRAM）的晶圆级测试，存储器件测试。并与MRAM工艺团队、电路设计团队共同开发产品，制定WAT测试方案，完成器件性能评估。MRAM的制造涉及新型微纳器件及非标准集成工艺，需要与工艺工程师配合，完成存储器的核心存储单元设计，阵列设计及相关测试，并对器件及阵列进行优化。
工作职责：
1、负责MRAM的器件表征工作；
2、对MRAM的存储单元和阵列进行手动测试或自动化测试，了解其电气性能，制定设备结构、材料和电气性能改进方案；
3、建立存储单元可靠性失效模型，制定可靠性表征方法，提升可靠性测试效率；
4、与电路设计，产品/测试工程协同合作，优化测试流程；
5、分析存储单元相关WAT数据和单元阵列性能，及时发布报告，关联off-line、in-line、WAT、SORT、可靠性和后端测试数据，了解其对关键单元数值的影响，明确优化方向；
6、与跨职能团队合作，包括工艺模块，设备工程师，产品工程师，电路设计和测试工程师等，以解决工艺及设计技术问题，并开发创新的解决方案，以满足产品合格标准；
7、查阅技术文献，深入理解项目相关技术，指导问题的解决和发展方向。

1、本科以上学历，物理、微电子、材料、化学等集成电路相关专业；
2、对半导体器件的物理特性，电学特性，制造工艺等方面技术知识深入了解；
3、熟悉DRAM、FLASH等主流存储技术，了解MRAM等新型存储技术者优先；
4、具备数据分析、DOE和器件特性分析能力；
5、具备半导体设备自动化操作和软件工具使用能力；
6、具备较强的沟通、分析，报告撰写、演示能力；
7、自我管理能力强，抗压能力强，拥有团队建设能力者优先。

联系人：张老师
公司地址：北京市海淀区知春路6号(锦秋国际大厦)10层A03
最近登录：2022-11-28